AFT23S160W02GSR3 – RF MOSFET Designed for High-Efficiency Circuits
Где найти AFT23S160W02GSR3?
Мы предлагаем оригинальные MOSFET транзисторы AFT23S160W02GSR3 от NXP USA Inc. в своем ассортименте. Продукция не является официальным партнером, но все устройства соответствуют заводским спецификациям и гарантируют высокое качество.
Основные особенности
Этот MOSFET обладает низким уровнем шума, отличной термической стойкостью и широким диапазоном напряжения между стоком и истоком. Эти характеристики делают AFT23S160W02GSR3 идеальным выбором для высокочастотных схем.
Для чего предназначен AFT23S160W02GSR3?
Микросхема применяется в RF усилителях мощности, мобильных репитерных сетях и узловых точках 5G, обеспечивая надежность и эффективность работы в условиях высокой нагрузки.
Конкурентные преимущества
По сравнению с аналогичными решениями от ON Semiconductor, AFT23S160W02GSR3 отличается меньшей емкостью и лучшей линейностью Vgs, что значительно улучшает общую производительность устройства.
Заключение
AFT23S160W02GSR3 — это надежный и эффективный выбор для высокочастотных приложений, предлагающий отличные характеристики для мобильных сетей и 5G инфраструктуры.
Трудно найти AFT23S160W02GSR3 ?
Компания ICHOME обеспечивает комплексный поиск спецификаций, начиная с анализа рисков компонентов (EOL, solo-source и т.д.), предложений по замене, поддержки проектирования и поставки всех компонентов спецификации.
Свяжитесь с нами →
